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磁屏蔽材料
基本原理
当磁场的频率很低（工频或100KHz以下）时，传统的屏蔽方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响，如阴极射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的，当有外界磁场干扰时，电子束的偏转会发生变化，使图像失真。
低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路，使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中，从而起到屏蔽的作用。
设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的屏蔽效能，又不至于发生饱和。当要屏蔽的磁场很强时，一层屏蔽可能满足不了要求，这时可以采用多层屏蔽。多层屏蔽的原理是先用导磁率较低，不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度，然后再用磁导率很高(通常容易发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。
完全的封闭体能够提供*理想的磁屏蔽效果。但在实践中，不封闭的结构，如五面体或更少面的结构，甚至平板也能提供满足要求的屏蔽效能。当使用平板时，应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与屏蔽结构的尺寸有关，因此除了选用合适的材料以外，尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁屏蔽效能。
磁屏蔽材料特性
CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有极高的导磁率，可以有效衰减低频磁场干扰，达到极高磁场屏蔽，NETIC材料有极好的抗磁饱和能力，能在强磁场产生一定衰减。
物理与磁特性
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技术参数 |
CO-NETIC AA |
CO-NETIC AA |
CO-NETIC B |
NETIC S3-6 | |
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完全退火 |
压力退火 |
压力退火 |
压力退火 | ||
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密度 |
8.74 |
8.74 |
8.18 |
7.86 | |
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膨胀系数,per ℃ x 10－6 |
12.6 |
12.6 |
8.3 |
13.7 | |
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拉伸强度,PSI x 103 |
64 |
85 |
80 |
42 | |
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屈服应力,PSI x 103 |
18.5 |
33 |
27 |
27 | |
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弹性模量,PSI x 106 |
25 |
30 |
24 |
30 | |
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硬度,Rockwell B |
50 Ref. |
70 Ref. |
68 Ref. |
50 Ref. | |
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2英寸伸长率（百分比） |
27% |
32% |
32% |
38% | |
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熔点 |
2650oF 2650oF 2600oF 2790oF 导热性(cal/sec/cm2 /cm/℃) at .138 |
.138 |
.037 |
.118 | |
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电阻 ohms/cir mil-foot |
330 |
330 |
290 |
64 | |
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微欧姆-厘米 |
55 |
55 |
48 |
11 | |
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饱和感应(高斯) |
8,000 |
8,000* |
15.000* |
21,400 | |
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起始磁导率 |
30.000 |
30,000* |
8,000* |
200 | |
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磁导率 at 40 B |
75,000 |
75,000* |
12,000* |
300 | |
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磁导率 at 200 B |
135,000 |
135,000* |
30.000* |
500 | |
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*大磁导率 |
450,000 |
45,000* |
150,000* |
4.000 | |
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磁感应 at μ max |
3.000 |
3,000* |
7,000* |
8.000 | |
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抗磁力 Hc,奥斯特 |
.015 |
.015* |
.05 |
1.0 | |
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居里温度 |
850oF 850oF 840oF 1420oF *低工作温度 |
4oK |
4oK |
4oK |
4oK |
a,Stress Annealed(压力退火处理)的材料在加工完毕后，为了获得*佳的屏蔽效能，要再进行退火处理。
b,Perfection Annealed(完全退火处理)的材料只要在加工过程中没有激烈的成型和拉伸，加工完毕后不需要再退火。
c,尺寸：压力退火处理的材料：
